硅压阻式扩散硅传感器构造与原理

硅压阻式扩散硅传感器构造与原理 硅压阻式扩散硅传感器是采用精密半导体电阻应变片组成惠斯顿电桥作为力电变换测量电路的，具有较高高的测量精度、较高低的功耗和高低的成本。惠斯顿电桥的压阻变压器厂家/式传感器，如无变化，其输出为，几乎不耗电。
扩散硅榆林变压器_产品实拍图_科技系列硅压阻式扩散硅传感器采用周边固定的圆形应力杯硅薄膜内壁，采用科技自主研发技术直接将四个精密半导体应变片刻制在其表面应力高处，组成惠斯顿测量电桥，作为力电变换测量电路，将这个物理量直接变换成电量，其测量精度能达0.25-0.5%FS。硅压阻式扩散硅传感器上下二层是玻璃体，中间是硅片，硅片中部做成应力杯，其应力硅薄膜上部有真空腔，使之成为一个典型的高压扩散硅传感器。应力硅薄膜与真空腔接触这面经光刻生成电阻应变片电桥电路。当外面的经引压腔进入传感器应力杯中，应力硅薄膜会因受外力作用而微微向上鼓起，发生弹性变形，四个www.gsbzf.com/电阻应变片因此而发生电阻变化，破坏原先的惠斯顿电桥电路平衡，电桥输出与成正比的电压信号。
扩散硅传感器的直接作用于传感器的膜片上（不锈钢或陶瓷），使膜片产生与介质成正比的微位移，使传感器的电阻值发生变化，和用电子线路检测这变化，并转换输出一个对应于这高的标准测量信号。